[14p-A21-1~13] Recent Progress of Nitride Semiconductor -Toward Defectless Crystal and Devices-

[14p-A21-9] Current Status and Issues of GaN Vertical Power Devices

〇Jun Suda¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:GaN, power devices

GaNは大きな絶縁破壊電界と高い電子移動度を持つため次世代パワーデバイス材料として期待を集めている。GaNは当初バルク基板が存在しなかったため、横型（HEMT）の研究が先行したが、GaNレーザの量産に伴ってHVPEによるGaNバルク基板の量産がはじまると、縦型構造も検討されるようになってきた。近年ではNaフラックス法やアモノサーマル法など、大口径化、低コスト化、低転位化が期待できるバルク基板技術が台頭している。基板についての道筋が見えてきたこともあり、ここ数年、GaN縦型パワーデバイスの研究開発が活発化している。本講演では、GaN縦型パワーデバイスへの期待、現状、そして高性能パワーデバイス実現に向けた取り組むべき課題について述べる。