[15a-A31-1~13] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[15a-A31-8] 対向ターゲットスパッタリングによるCu₂O 薄膜の作製と評価

〇渡邉 光¹、竹井 雄太郎²、滝口 雄貴²、宮島 晋介¹ (1.東工大工学院、2.東工大院理工)

キーワード：酸化銅、ヘテロ接合太陽電池

Cu₂O はN ドープが可能なp 型半導体であり、c-Si ヘテロ接合太陽電池の正孔選択性エミッタや裏面電界層として応用することができる。本研究では製膜時のダメージの軽減が可能である対向ターゲットスッパタリング(FTS)を用いてCu₂O:N を作製し、その評価を行った。O₂分量とともにキャリア濃度が増加する傾向とN₂分量を増加させた際に1×10²⁰cm⁻³の高いキャリア濃度が得られた。