[15a-B9-1~6] 13.3 絶縁膜技術

△ [15a-B9-2] 酸化剤を変えて形成した原子層堆積Al₂O₃膜の電気特性

〇大久保 智¹、松村 大輔¹、平岩 篤¹、川原田 洋¹ (1.早稲田大学理工学術院)

キーワード：アルミナ、原子層堆積、電気伝導

原子層堆積Al₂O₃膜はワイドバンドギャップ半導体素子のゲート絶縁膜に有望である。その絶縁性向上に向け酸化剤の差（H₂OとO₃）が絶縁性にもたらす影響について検討した。O3で形成した膜が正負両バイアス電圧に対してリーク電流が少なく、これがゲート電極材料に対する安定性と基板側界面付近における正電荷の減少効果によるものであることを明らかにした。ただし、O₃は基板を酸化する作用が強いので必要に応じ改善を図っていく。