[15a-C302-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15a-C302-9] 高速SiCレーザスライシング技術の開発

〇平田 和也¹、西野 曜子¹、森重 幸雄¹、高橋 邦充¹ (1.株式会社ディスコ)

キーワード：レーザ、スライス

次世代パワーデバイス用材料のSiCは、難削材料として知られている。インゴットからウェーハ製造のための遊離砥粒ワイヤソーを用いたスライス加工の加工時間及びカーフロスは、6”サイズで各々約100時間、約200umである。そこで我々は、レーザを利用した新しいスライシング方法を提案する（KABRAプロセス）。この方法は、従来の低スループットを克服し、スライス時間12分、材料損失120umを達成した。