2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[15p-B10-1~17] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2016年9月15日(木) 13:45 〜 18:30 B10 (展示控室1)

佐々木 実(豊田工大)

17:15 〜 17:30

[15p-B10-13] SiHCl3-SiHx系シリコン薄膜形成法により得られる薄膜中の炭素濃度

齋藤 あゆ美1、〇山田 彩未1、羽深 等1 (1.横浜国大院工)

キーワード:シリコンエピ成長速度、トリクロロシラン、SiHx

電子デバイスなどの生産工程において、トリクロロシラン(SiHCl3, TCS)を用いてシリコンエピタキシャル成長を行う際に成長速度の飽和を越えるため、TCSガスとSiHxガスを混合させる方法を提案している。その際に用いているモノメチルシランガスから、Si薄膜中にCが混入し、成長速度に影響することが懸念された。本研究では、得られた薄膜中の炭素濃度を分析し、成長速度に影響を与えない程度であることを確認したので、その詳細を報告する。