[15p-B10-1~17] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[15p-B10-12] SiHCl₃-SiH_x系シリコンエピタキシャル成長の反応速度式

〇渡部 亨¹、羽深 等¹、齋藤 あゆ美¹ (1.横国大院工)

キーワード：シリコンエピタキシャル、SiHx、成長表面反応過程

トリクロロシラン(SiHCl₃, TCS)を用いてSiエピタキシャル成長を行う場合、成長速度の飽和を越えるためにSiH_xを添加する方法が提案されている。この時、基板表面で生じる化学反応の速度式を検討し、実験結果と照合したので、その詳細を述べる。