[15p-B10-1~17] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /MEMS/Integration technology

△ [15p-B10-14] Formation of porous SiO₂ films by F₂-laser deposition

〇Takuya Toma¹, Akira Suwa¹, Daisuke Nakamura¹, Hiroshi Ikenoue¹ (1.Kyushu Univ.)

Keywords:SiO2, laser processing

ULSIはスケーリング則に伴う微細化による配線遅延の改善が必要とされているが，機械的強度や耐熱性等のプロセス要求を達成しつつ，比誘電率が2に迫る勢いの材料は見出されていない．本報告は，低誘電率膜を成膜する技術として、F2レーザーを用いたPLD法を提案したものであり，雰囲気圧力を制御することで形成されるナノ粒子の粒径，すなわちポーラスサイズを制御できる可能性があることを示唆するものである．