[15p-C302-1~18] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15p-C302-14] 4H-SiC PiN diodeにおける積層欠陥の拡大および縮小現象のその場観察

〇呂 民雅^1,2、俵 武志^1,2、宮里 真樹^1,2、藤本 卓巳²、竹中 研介^1,2、宮島 將昭^1,2、大月 章弘²、土田 秀一³、加藤 智久¹ (1.産総研、2.富士電機、3.電中研)

キーワード：炭化珪素、パワーデバイス