[15p-C302-1~18] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [15p-C302-16] 表面パッシベーション酸化膜の窒化処理により生じるメサ型4H-SiC pn ダイオードの順方向リーク電流の起源

〇浅田 聡志¹、木本 恒暢¹、須田 淳¹ (1.京大院工)

キーワード：SiCダイオード、窒化処理、バンドベンディング

メサ型SiC pnダイオードの表面パッシベーション酸化膜に窒化処理を施すと、順方向特性において、拡散・再結合電流の他に低電圧領域で異常電流が流れることが知られている。本研究ではこの電流の起源を、SiC/SiO₂界面における窒化処理由来の固定電荷が引き起こす、バンドベンディングの影響に着目し、実験とシミュレーションを用いて考察した。