浅田聡志

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発表者・著者、共著者

2016年9月15日(木) 13:45 〜 19:00 C302 (日航30階鳳凰)

一般セッション(口頭講演)
| 15 結晶工学
| 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15p-C302-1~18] 15.6 IV族系化合物（SiC）

18:15 〜 18:30

△ [15p-C302-16] 表面パッシベーション酸化膜の窒化処理により生じるメサ型4H-SiC pn ダイオードの順方向リーク電流の起源

〇浅田聡志¹、木本恒暢¹、須田淳¹ (1.京大院工)