[15p-C302-1~18] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15p-C302-5] 複焦点界面顕微光応答法による3C-SiC層の2次元評価

〇塩島 謙次¹、市川 尚澄²、加藤 正史² (1.福井大院工、2.名工大院工)

キーワード：複焦点界面顕微光応答法、3C-SiC

本研究では、3C-SiC層の上下両面を2次元評価できる複焦点界面顕微光応答法を提案する。3C-SiC表面ではドメインの境界が深い溝を形成しており、そのパターンがNi電極越しに観察され、同一のパターンが光電流像でも観察された。3C/4H-SiCヘテロ界面を評価した結果でもドメインの境界に対応した光電流像が明瞭に得られた。本手法を用いれば薄膜の両面を非破壊で2次元評価出来ることが実証できた。