2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[16p-B10-1~12] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2016年9月16日(金) 13:45 〜 17:00 B10 (展示控室1)

佐々木 実(豊田工大)、角嶋 邦之(東工大)

15:00 〜 15:15

[16p-B10-6] 水プラズマアッシングによるレジスト除去のメカニズムに関する検討

北野 卓也1、鈴木 宏明1、塩田 有波1、石島 達夫1、田中 康規1、上杉 喜彦1、クンプアン ソマワン2,3、原 史郎2,3 (1.金沢大、2.ミニマルファブ技術研究組合、3.産総研)

キーワード:水プラズマアッシング、ミニマルファブ、分光診断

水プラズマを利用した独自のレジスト除去法(水プラズマアッシング)は,超純水を原料ガスとして,プラズマ中に水由来の活性種(OHラジカル等)を生成しアッシングを行う。本手法を多品種少量生産に特化したミニマルファブの規格に適合させて,デバイス試作および評価を行うことを目指し研究開発を進めている。今回,水プラズマアッシングプロセスにおける分光診断を行い,そのメカニズムに関する検討を行ったので報告する。