[16p-B10-1~12] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[16p-B10-7] ミニマル装置を用いた高速ガス切り替え貫通エッチング

〇田中 宏幸^1,2、小木曽 久人^1,2、中野 禅^1,2、速水 利泰³、宮崎 俊也³、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ、3.SPPテクノロジーズ)

キーワード：TSV、ミニマル、ボッシュ

ミニマル装置を用いた高速ガス置換ボッシュプロセスでは、既にスキャロプを消失させることに成功したが、TSVプロセスへの適用については検証ができてなかった。250μm幅メタルマスクのラインパターンについては、高速ガス置換ボッシュでSi基板の貫通を確認している。この時のスキャロプの出来栄えについての観察結果を報告する。