[16p-B10-1~12] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /MEMS/Integration technology

[16p-B10-8] Electrical Characteristics of Gate Thermal Oxide Processed by Minimal Focused Light Heating Furnace

〇Noriko Miura¹, Fumito Imura^1,2, Takeshi Yamada^1,3, Takeshi Aizawa^1,3, Shinichi Ikeda^1,2, Yuuki Ishida^1,2, Takanori Mikahara^1,2, Yasuhiro Onishi^1,3, Sommawan Khumpuang^1,2, Shiro Hara^1,2 (1.MINIMAL, 2.AIST, 3.YONEKURA)

Keywords:minimal, thermal oxidation, furnace

Siのドライ酸化プロセスにおける加熱炉体への大気巻込みは、トランジスタ特性を劣化させる。ミニマルプロセスで良質な熱酸化膜を安定して形成するために、我々は密閉式チャンバーを用いたミニマル集光加熱炉を開発し、大気巻込みの抑制を行った。その結果、装置周辺の湿度に左右されない良好なトランジスタ特性を得た。