[16p-C302-1~9] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[16p-C302-4] ホール効果測定による窒化SiO₂/SiC界面の伝導帯近傍における界面準位の評価

〇畠山 哲夫¹、木内 裕治¹、染谷 満¹、岡本 大²、原田 信介¹、矢野 裕司²、米澤 喜幸¹、奥村 元¹ (1.産総研、2.筑波大)

キーワード：界面準位、移動度、窒化

窒化条件の異なるSiO₂/SiC界面のバンド端近傍の界面準位をSplit-C-V測定とホール効果測定を組み合わせる手法で評価した。その結果、窒化の界面の電子輸送に与える影響は単純ではなく、窒化処理によって界面準位密度は低減されるが、同時にホール移動度にも影響を与える場合があり、結晶面にも依存することが分かった。