14:00 〜 14:15 [20p-H101-4] 電位コントラスト法による4H-SiCエピタキシャル層の拡張欠陥観察 〇木村 嘉伸1、津野 夏規1、沖野 泰之1、毛利 友紀1、大野 俊之1、山田 廉一1 (1.日立研究開発グループ)