15:30 〜 15:45 [21p-W541-7] ノーマリオフ GaN HEMTのダイオード動作における耐圧および容量特性 〇加藤 直樹1、永井 昂哉1、成田 智隆1、長田 大和2、上村 隆一郎2、伊東 健治3、分島 彰男1、江川 孝1 (1.名工大院、2.ULVAC、3.金沢工大)