13:30 〜 15:30 [20p-P9-21] GaN表面CARE加工の反応メカニズムの第一原理計算による解析II -表面キンクサイト周辺のH2O終端構造- 〇稲垣 耕司1、Pho Van Bui1、礒橋 藍1、藤 大雪1、森川 良忠1、山内 和人1 (1.阪大院工)