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[19a-S223-3] 次世代TCAD(3) 3次元デバイスシミュレータを用いた並列計算
キーワード:半導体、3次元、デバイスシミュレータ
我々は開発中の3次元プロセス-デバイスシミュレータAdvance/T-CADの並列化を行い、その効率等の測定を行った。図1に3次元デバイスシミュレータによって作成したnMOS構造とドーピングプロファイルを示している。図2は、このモデルをメッシュ数5584464で計算した場合の並列化効率を示し、値が小さい程並列化効率が高いことを示している。16コア辺りで効率が落ちる時があるが、その他では128コアまでコア数に比例して計算時間の短縮に成功した結果を得た。