[20a-S422-1~12] 13.5 デバイス／集積化技術

[20a-S422-4] 結晶シリコンチャネルFinFETと集積可能な多結晶シリコンチャネルFinFETを用いた高信頼・コンパクトなPUF回路とその評価方法

〇大内 真一¹、柳 永勛¹、堀 洋平¹、入沢 寿史¹、更田 裕司¹、森田 行則¹、右田 真司¹、森 貴洋¹、中川 格¹、塚田 順一¹、小池 汎平¹、昌原 明植¹、松川 貴¹ (1.産総研)

キーワード：SRAM PUF、多結晶SiチャネルチャネルFinFET、ノイズマージン

ロジック回路用FinFETと同一のプロセスで作製・集積可能な多結晶SiチャネルFinFETを用いたSRAM PUF回路を提案する。ばらつきの大きい多結晶素子は、雑音の影響を受けやすいPUF回路動作を安定化する。SRAM PUFのノイズマージンを新たに定義し試作・評価を行った結果、多結晶素子の導入によってイントラPUFハミング距離を1/3.4に低減する、動作安定性の向上が示唆された。