[20p-H113-1~13] 15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[20p-H113-1] 炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴（1）
-デバイス作製工程の重金属汚染に対するゲッタリング能力-

〇栗田 一成¹、奥山 亮輔¹、柾田 亜由美¹、門野 武¹、廣瀬 諒¹、古賀 祥泰¹、奥田 秀彦¹ (1.株式会社SUMCO)

キーワード：シリコンウェーハ、炭素クラスターイオン注入、近接ゲッタリング

我々は,高感度CMOSイメージセンサの製品性能向上を意図して炭素クラスターイオン注入による近接ゲッタリングウェーハの検討を実施してきた.これまでの研究からこのウェーハは, CMOSイメージセンサの製品性能向上に資する三つの特徴（重金属、水素、酸素のゲッタリング能力）を有することを見出すことができた.今回は,デバイス作製工程において炭素クラスターイオン注入エピウェーハは,重金属汚染に対する十分なゲッタリング能力があることを報告する.