[20p-S423-1~19] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[20p-S423-6] CWレーザーアニール法による非晶質基板上Si薄膜の(100)面配向結晶化

〇(M2)仁枝 嘉昭¹、佐々木 伸夫²、菱谷 大輔¹、堀田 昌宏³、石河 泰明¹、浦岡 行治¹ (1.奈良先端大、2.日本女子大、3.京大)

キーワード：シリコン、CWレーザー結晶化、低温プロセス

非晶質基板上に高移動度を有する材料を低温で形成する技術が求められている．そこで，本研究では，連続発振レーザー（CWレーザー）結晶化法を用いて単一面方位Si結晶化の条件を明らかにし低温プロセスの確立を目指している．本実験ではCap層SiO₂膜厚依存性，スキャン回数依存性について実験を行った．その結果，1回のスキャンでビーム幅全体に渡り（100）面配向が支配的に見られ，高移動度なTFT作製が期待できる．