2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[21a-W541-1~12] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2016年3月21日(月) 09:00 〜 12:15 W541 (西5号館)

末光 哲也(東北大)

10:15 〜 10:30

[21a-W541-6] フォトキャパシタンス測定によるGaN中のプラズマ照射誘起欠陥の評価

折茂 力都1、大西 健太1、〇中村 成志1、奥村 次徳1 (1.首都大理工)

キーワード:フォトキャパシタンス、光イオン化断面積