2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[21p-H112-1~13] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

2016年3月21日(月) 13:15 〜 16:45 H112 (本館)

宮本 智之(東工大)

15:45 〜 16:00

[21p-H112-10] 【注目講演】GaN(10-10)上へのウルツ鉱構造AlInPの成長と緑色発光

福井 孝志1、平谷 佳大1、石坂 文哉1、冨岡 克広1,2 (1.北大情報、量集センタ、2.JSTさきがけ)

キーワード:有機金属気相エピタキシャル成長法、AlInP、ウルツ鉱構造

これまでにウルツ鉱構造のGaN基板上に、結晶構造転写法により同型のウルツ鉱構造AlGaP 及びAlInPを作製するという方法で、InP, AlP系混晶のウルツ鉱構造への相転移の試みを進めてきたが、今回GaN(10-10)基板上にウルツ鉱構造AlInP薄膜の結晶成長に成功しカソードルミネッセンス測定から緑色発光を得たので発表する。