[21p-P5-1~2] 8.4 プラズマエッチング

[21p-P5-1] 吸引プラズマによるSi基板の高速局所エッチング加工

〇宮脇 淳¹、狩野 諒²、菅 洋志²、久保 利隆¹、安藤 淳¹、高橋 賢³、新堀 俊一郎³、清水 哲夫¹ (1.産総研、2.千葉工大、3.三友製作所)

キーワード：吸引プラズマ、エッチング、シリコン

吸引プラズマを用いてSi基板を高速に局所エッチング加工することを試みた。525マイクロm厚のSi基板を25分以内に貫通することができ、20マイクロm/min以上のエッチング速度を達成した。さらに基板裏面からプラズマ発光をモニターしながら、プラズマ照射を孔が貫通する直前で止めることにより、約φ100マイクロmの領域に数マイクロmの厚さで、Si基板を残すことができた。