[21p-W641-1~19] 6.1 強誘電体薄膜

△ [21p-W641-16] 遷移金属元素をドープした単一ドメインBiFeO₃薄膜の異常光起電力効果(Ⅱ)

〇(M1)高山 幸太¹、中嶋 誠二¹、藤沢 浩訓¹、清水 勝¹ (1.兵庫県立大学)

キーワード：光起電力、ビスマスフェライト

遷移金属元素が単一ドメインBiFeO₃(BFO)薄膜の異常光起電力効果に与える影響をI-V特性と温度特性を測定して調べた。その結果常温ではノンドープBFO薄膜の開放端電圧(V_OC)30Vに対しMn0.5%ドープBFO薄膜では261Vまで増加、Mn1%ドープBFO薄膜において90Kでは1kVを超えるV_OCが発生した。V_OCの増加はドープによるフォトコンダクタンスの低下が影響すると考えられる。