16:00 〜 18:00 [6p-PA8-19] 分極接合基板上PチャネルGaN MOS構造の特性評価 〇(M2)高山 留美1、星井 拓也1、中島 昭2、西澤 伸一3、大橋 弘通1、角嶋 邦之1、若林 整1、筒井 一生1 (1.東工大、2.産総研、3.九州大)