[5p-C21-1~13] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[5p-C21-12] GaAs(110)表面へのMn取り込みメカニズムの検討

〇平山 基¹、岸上 翔¹ (1.阿南高専)

キーワード：半導体、表面、第一原理計算