[6a-A503-1~13] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[6a-A503-3] 分子クラスターイオン注入エピウェーハの製品特性(２)
ー 常温接合エピウェーハの重金属ゲッタリング特性 ―

〇古賀 祥泰¹、門野 武¹、奥山 亮輔¹、重松 理史¹、廣瀬 諒¹、柾田 亜由美¹、奥田 秀彦¹、栗田 一成¹ (1.株式会社SUMCO)

キーワード：エピタキシャルシリコンウェーハ、常温接合貼り合わせ、重金属ゲッタリング

我々は，高感度CMOSイメージセンサの特性向上を意図して，高ドーズ量クラスターイオン注入基板へエピタキシャル層を常温接合する新規のエピタキシャルウェーハを検討してきた．
今回，重金属に対するゲッタリング挙動について評価・解析を実施したので報告する．