[6p-C16-1~17] 機能性原子膜材料の最新応用研究と将来展望

[6p-C16-10] 高濃度SOI基板をゲート電極に用いたWSe₂ pFETの作製

〇高木 寛之¹、居駒 遼¹、大場 智昭¹、川那子 高暢¹ (1.東工大未来研)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、WSe2FET

近年、FETのチャネル層として二次元半導体材料である遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)が注目されている。本研究では、高濃度にドーピングされたSOI層をゲート電極に用い、転写法によってTMDCのWSe₂をチャネル層とする電界効果トランジスタ(FET)を作製する。SOI層を熱酸化して作製したSiO₂層は、ゲート電極とソース/ドレイン電極との間を流れるリーク電流を抑制する。このオーバーラップ構造を用いた、WSe₂ FETの特性評価について報告する。