[6p-PA8-1~31] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[6p-PA8-3] プラズマエッチング処理ならびにAl₂O₃-ALD膜形成プロセスを経たAlGaNエピタキシャル膜のPLライフタイム測定

〇中島 陸¹、森 拓磨¹、細見 大樹¹、江川 孝志¹、三好 実人¹ (1.名古屋工業大学)

キーワード：PLライフタイム、AlGaN

AlGaN混晶は、紫外線発光・受光デバイスのみならずGaNを超えるパワーデバイス用ワイドギャップ半導体材料としても有望である。これまで当研究室では、AlGaNチャネル層を有するInAlN/AlGaNヘテロ構造の2次元電子ガス特性や電界効果トランジスタ試作について報告を行ってきた[1]。他方、こうしたAlGaN系パワーデバイスの実現を考えるうえでは、各種半導体加工プロセスの材料特性への影響を把握することが重要となる。本研究では、MOCVD成長したAlGaN膜のAs-grown品に加え、反応性イオンエッチング(RIE)を施したサンプル、ALD法によるAl₂O₃保護膜を形成したサンプルについて、紫外線レーザー励起によるフォトルミネッセンス（PL）ライフタイム測定による評価を実施したので報告する。