2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

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[7a-A402-1~10] 8.4 プラズマエッチング

2017年9月7日(木) 09:00 〜 11:45 A402 (402+403)

林 久貴(東芝)

10:30 〜 10:45

[7a-A402-6] 高選択Si3N4エッチングガスC4H9Fのエッチング特性および解離挙動

伊東 安曇1、乾 裕俊1、松本 裕一1 (1.日本ゼオン)

キーワード:エッチングガス

高選択Si3N4エッチングとして開発したC4H9Fについて、CH3F、CH2F2とのエッチング特性の比較結果、および四重極質量分析装置を用いたプラズマ中のイオン・ラジカルの解離挙動の解析結果の報告を行う。