[7p-A402-1~6] 8.4 プラズマエッチング

△ [7p-A402-6] ガス流速の分布調節機構によるウェハ面内のエッチング性能分布制御性の向上

〇森 功¹、田中 基裕¹、川那辺 哲雄²、江藤 宗一郎²、安井 尚輝¹ (1.日立ハイテクノロジーズ、2.日立製作所)

キーワード：プラズマエッチング装置、面内プラズマ分布均一性制御、ガス流速分布制御

微細化・3次元化の進む半導体デバイスでは、十分な生産性（歩留まり）を達成するためウェハ面内のエッチング性能分布に原子レベルの均一性が要求される。本研究では複数の導入口からチャンバにガスを供給するガス流速分布制御機構（マルチガス導入）を開発し、エッチングレート分布におけるデポ性ガスの挙動を検討した。その結果、デポ性ガスのガス流速分布調整によりレート分布を凹分布から凸分布まで制御可能なことを実証した。