[7p-C11-1~21] 17.3 層状物質

[7p-C11-16] HfS₂/MoS₂ ヘテロジャンクションの温度依存電流特性

〇祢津 誠晃¹、金澤 徹¹、雨宮 智宏¹、宮本 恭幸¹ (1.東工大)

キーワード：TMD、二硫化モリブデン、二硫ハフニウム

遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD）はバンドギャップを有する層状物質群であり，原子層の厚さを用いた極短チャネル領域における電界効果トランジスタへ（FET）の応用が期待されている．これまで当研究グループでは，HfS2/MoS2ヘテロ構造を用いたFETの動作報告をしている．本報告では，特性改善のためのキャッピング層を追加したFETの電気的特性と温度特性を報告する．