[7p-PB6-1~10] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[7p-PB6-4] アモルファスAl₂O₃絶縁膜中のO空孔とAl空孔の理論的検討

〇小嶋 英嗣¹、長川 健太¹、白川 裕規¹、洗平 昌晃^1,2、白石 賢二^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

キーワード：半導体、絶縁膜

絶縁膜をAl₂O₃としたGaNデバイスのリーク電流は絶縁膜をSiO₂としたデバイスよりも発生しやすい。我々はこの原因として、Al₂O₃中に存在するOとAl空孔が影響するのではないかと考えている。そこで本研究では第一原理計算により、アモルファスAl₂O₃(a-Al₂O₃)中のOとAl空孔がどのような欠陥をもたらすのかを研究した。講演ではa-Al₂O₃の欠陥の荷電状態依存性と空孔に不純物を導入した時の影響に関しても議論する予定である。