[8a-C18-1~12] 13.5 デバイス／集積化技術

[8a-C18-5] 急峻なSSを持つ PN-Body Tied SOI FET におけるヒステリシス特性

〇井上 惺太¹、井田 次郎¹、森 貴之¹、吉田 貴大¹ (1.金工大工)

キーワード：ヒステリシス特性、半導体

これまでに、我々はSOIをベースにしたFETに着目し理論下限を下回るSSを持つ新構造PN-Body Tied(PNBT)構造を報告した。今回は、スイッチングデバイスにとって非常に重要な問題であるヒステリシス特性に関して実測を行った。実測結果より、ヒステリシス窓が従来のFloating Body(FB)とBody Tied(BT)と新構造PNBTで最も小さくなる構造はPNBTであることを確認した。