[8a-C18-1~12] 13.5 デバイス／集積化技術

[8a-C18-7] [講演奨励賞受賞記念講演] 冷却レートを低減した酸化濃縮プロセスにより作製した高圧縮ひずみGOI pMOSFET

〇金 佑彊¹、竹中 充¹、高木 信一¹ (1.東大院工)

キーワード：酸化濃縮、GOI pMOSFET、圧縮ひずみ

Siの物理的限界を超える次世代CMOSチャンネルを候補としてGeが注目されている。また、ショートチャンネル効果を抑制するためにGOI構造が非常に重要とされている。GOI構造を作る有望な方法の一つである酸化濃縮は簡単に薄膜なGOIを作れるが、酸化濃縮の途中で起こるひずみの緩和でGOI層の品質の低減と共にｐMOSFETの性能向上も防いでしまう。
この講演では、酸化濃縮での温度冷却レートを低減する事で酸化濃縮中のひずみ緩和を抑え、GOIに圧縮ひずみを適用する事でｐMOSFETの性能向上させた事を報告する。