[8p-C18-1~8] 13.5 デバイス／集積化技術

[8p-C18-8] 強磁性トンネル接合を用いた不揮発性SRAMの待機時電力削減能力

〇北形 大樹¹、山本 修一郎¹、菅原 聡¹ (1.東工大未来研)

キーワード：マイクロプロセッサ、パワーゲーティング、SRAM