09:30 〜 11:30 [16a-P5-11] 電流検出ESRによるドライ酸化、窒化Si面SiC-MOSFET界面の比較 〇梅田 享英1、Geonwoo Kim1、吉岡 裕典2、小杉 亮治2、原田 信介2 (1.筑波大数物、2.産総研)