[14a-F201-1~11] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[14a-F201-9] Si単結晶育成時の熱応力の異方性が二次欠陥挙動に与える影響

〇神山 栄治¹、安部 吉亮¹、番場 博則¹、斉藤 広幸¹、前田 進¹、クリエフ アレクサンダー²、飯塚 将也³、向山 裕次³、末岡 浩治⁴ (1.グローバルウェーハズ・ジャパン㈱、2.ソフトインパクト、3.エスティーアール・ジャパン㈱、4.岡山県大　情報工)

キーワード：Si結晶成長、熱応力、異方性

育成中の単結晶内に発生する熱応力が点欠陥挙動に影響する．この熱応力が，等方的というより寧ろ異方的であることに着目し，異方性熱応力の場合に対して，第一原理計算により求められたエンタルピーの応力係数を考慮した点欠陥の生成エンタルピーを用いて，育成結晶内の点欠陥挙動を予測した．発表では，実際に引き上げた結晶についてXRTにより得られた二次欠陥分布との比較結果についても報告する．