[14p-412-1~18] 6.2 カーボン系薄膜

△ [14p-412-3] 縦型2DHGダイヤモンドFETの特性向上

〇大井 信敬¹、工藤 拓也¹、牟田 翼¹、大久保 智¹、露崎 活人¹、星野 晴華¹、蔭浦 泰資¹、稲葉 優文¹、小野田 忍²、平岩 篤¹、川原田 洋^1,3 (1.早大理工、2.量研機構、3.早大材研)

キーワード：ダイヤモンド、半導体、デバイス

2DHGダイヤモンドMOSFETは低い電流密度やオンセット電圧に課題が存在する。窒素ドープ層及びトレンチ形成の条件についての検討を行うことによって特性の改善を試みた。また、絶縁膜を除き同様の構造を持つ2DHGダイヤモンドMESFETの作製を行い、電流密度の向上を確認した。