[16a-E206-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[16a-E206-5] ミニマルSi-CVD装置における膜厚分布の原因

〇池田 伸一^1,2、石田 夕起^1,2、三ケ原 孝則^1,2、三浦 典子²、伊藤 孝宏³、羽深 等⁴、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ技組、3.オリエンタルモーター、4.横国大)

キーワード：エピタキシャルシリコンCVD、ミニマルファブ、気流シミュレーション

ミニマルエピタキシャルSi成長装置（CVD装置）の開発では、原料ガス消費量を極限まで削減しボンベを小型化しなければならない。そのために集光加熱縦型コールドウォール方式を採用し、原料利用効率を極限まで高めることを試みている。本発表では、熱と流れに加えて化学反応を連成させたシミュレーションを行い、一方向に偏ったシリコン膜厚分布を再現できる条件を探ったので報告する。