[16a-P4-1~29] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [16a-P4-10] GaNキャップ層がAlGaN/GaN MOS構造のC-V特性に与える影響

〇西口 賢弥¹、金木 奨太¹、橋詰 保¹ (1.北大量集センター)

キーワード：窒化ガリウム、GaNキャップ