[16a-P5-1~15] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[16a-P5-11] 電流検出ESRによるドライ酸化、窒化Si面SiC-MOSFET界面の比較

〇梅田 享英¹、Geonwoo Kim¹、吉岡 裕典²、小杉 亮治²、原田 信介² (1.筑波大数物、2.産総研)

キーワード：MOS型電界効果トランジスタ、界面欠陥、電子スピン共鳴分光

Si面4H-SiC MOSFETの界面欠陥を分光学的に調べるために電流検出型電子スピン共鳴分光（EDMR）法を用いた。ドライ酸化、およびNO窒化MOSFETのMOS界面を調べたところ、共通して炭素欠陥＋シリコン欠陥が観測された。メインは炭素欠陥で、アモルファスカーボン等で見られる炭素ダングリングボンドに似ている。窒化後は信号強度が大きく減少しており、これらの欠陥が窒素によって除去されたか、終端されたことが分かった。EDMRスペクトルから分かる欠陥や界面の特徴についてさらに議論したい。