[16a-P5-1~15] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[16a-P5-12] C面ドライ酸化4H-SiC MOSFETにおける界面炭素関連欠陥の面内分布解析

〇鹿児山 陽平¹、岡本 光央²、吉岡 裕典²、原田 信介²、山崎 隆浩³、大野 隆央³、梅田 享英¹ (1.筑波大数物、2.産総研、3.物材機構)

キーワード：MOSFET、界面欠陥、電子スピン分光

私たちはこれまで電流検出型電子スピン(EDMR)分光を用いてC面ドライ酸化4H-SiC MOSFETの界面欠陥を調査してきた。検出したEDMRスペクトルには近接したスピン同士の磁気双極子相互作用”dipolar broadening”が表れており、それを基に面密度を求めると6×10¹³ cm^-2であった。一方、高温電流-電圧測定から求めた面密度は5×10¹² cm^-2であった。この2つのデータを満たすような電子スピン分布モデルを複数作成し、それぞれのdipolar broadeningについて数値解析を行った。