[16p-412-1~20] 13.5 デバイス／集積化技術

[16p-412-12] ヘテロ構造リフトオフ(HELLO)法による極薄GeOI 構造

〇前田 辰郎¹、張 文馨¹、入沢 寿史¹、石井 裕之¹、服部 浩之¹、倉島 優一¹、高木 秀樹¹、内田 紀行¹ (1.産総研)

キーワード：ゲルマニウム

LSIの微細化が物理的限界に近づく中、更なる高性能化を図るために、キャリア移動度の高いGeチャネルへの期待が高まっている。ここで、微細化への対応には、高品質な極薄Ge-on-Insulatorなどの基板エンジニアリングが鍵となる。そこで我々は、低温貼り合せ技術とエピタキシャルリフトオフ(ELO)法を用いた薄膜Ge層の転写技術を開発してきた^[1]。今回、10nm以下のGeOIの作製のために、SiGe層を挿入したヘテロ構造をドナー基板にリフトオフする転写技術(HELLO法)を開発し1nmレベルまで薄膜化したUTB-GeOIの作製・評価を行ったので報告する^[2]。