[16p-502-1~10] 先進パワーデバイスのプロセス技術

[16p-502-6] 縦型GaNデバイスプロセス技術

〇加地 徹¹ (1.名大未来材料システム研)

キーワード：GaNデバイス、プロセス技術

縦型GaNデバイスは、高耐圧・低オン抵抗性能で大きなポテンシャルを予測されていたが、2014年に耐圧1kVを超えるデバイスが発表されたことで、実用に向け多くの期待・注目を集めている。しかし、作製プロセスの課題はいまだ残っており、さらなる性能向上、信頼性確保に向け課題解決が必要である。本報告では、最近のデバイス性能を概観し、プロセス技術の課題および現状について解説する。