[16p-E206-1~17] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[16p-E206-12] 分子動力学・有限要素法を用いた半導体デバイスの微細パターン座屈解析

〇輿石 健二¹、齋藤 玲子¹、伊藤 祥代¹、田村 陽平²、今泉 俊介²、高本 聡²、泉 聡志² (1.東芝、2.東京大院工)

キーワード：分子動力学法、有限要素法

半導体デバイスの微細化に伴い顕在化しているパターン加工時の座屈変形不良に対し、古典分子動力学と有限要素法を用いて座屈発生挙動を調査した。アモルファスSi (a-Si)をマスク材として用いた加工工程を対象とし，a-Siのエッチング時の表面酸化に伴う応力発生を古典分子動力学法を用いて解析する．得られた表面応力を有限要素法を用いた座屈解析に反映させることで，エッチング選択比・酸化膜厚に対する座屈強度を評価した．