[17a-315-1~15] 8.3 プラズマ成膜・表面処理

△ [17a-315-2] 立方晶窒化ホウ素高指数面の作製とダイヤモンドヘテロ成長

〇(DC)田村 貴大¹、髙見 拓哉¹、柳瀬 隆²、長浜 太郎²、島田 敏宏² (1.北大院総化、2.北大院工)

キーワード：立方晶窒化ホウ素、ダイヤモンド、マイクロ波プラズマ

立方晶窒化ホウ素(cBN)はダイヤモンドと同様の結晶構造を持ち、高い熱伝導率や硬度、大きなバンドギャップといった特出した性質を有する。ダイヤモンドではn型半導体の合成が困難とされてきたが、cBNではp型、n型半導体が合成可能であり熱伝導率も高いため電子デバイスとしての応用が考えられている。現在、cBNの多くは高温高圧法により合成されており、cBNの結晶工学や表面化学に興味が持たれるが、大きな単結晶cBNの量産手法は確立されておらず、基板やデバイスとして利用することが難しい。そこで本実験では高温高圧法で作成可能であり入手が容易である200μm程度のcBN結晶粒子を基板として利用し、結晶成長や表面化学において興味深い高指数面の作製法の確立とダイヤモンドのプラズマCVDを行った。