[17a-E206-1~14] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[17a-E206-3] 中性粒子ビーム異方性室温酸化によるGeピーキングFin構造の作製

〇野田 周一¹、李 耀仁²、洪 子杰³、薛 富國^2,3、李 義明³、寒川 誠二^1,3 (1.東北大、2.台湾国家奈米元件実験室、3.台湾交通大)

キーワード：GeピーキングFin構造、中性粒子ビーム酸化、GeフィンFET